光刻(photolithography)
工艺步骤:
扩散和离子注入:900~1100℃
淀积
刻蚀
平面化
衬底选择:常用(100)晶面(原因:面密度小,界面态少)
设计规则(design rules):λ为最小线宽的1/2:例如对于一个0.25um的工艺,其λ的值为0.125um。
![image-20240528182346655](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/afcf7d18c0477dc6cd0a2b8d56d303c1.png)
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光刻(photolithography)
工艺步骤:
扩散和离子注入:900~1100℃
淀积
刻蚀
平面化
衬底选择:常用(100)晶面(原因:面密度小,界面态少)
设计规则(design rules):λ为最小线宽的1/2:例如对于一个0.25um的工艺,其λ的值为0.125um。