数字集成电路(3)

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光刻(photolithography)

工艺步骤:

扩散和离子注入:900~1100℃

淀积

刻蚀

平面化

衬底选择:常用(100)晶面(原因:面密度小,界面态少)

设计规则(design rules):λ为最小线宽的1/2:例如对于一个0.25um的工艺,其λ的值为0.125um。

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