本文介绍一下常用的存储芯片DDR3，包括DDR3的芯片型号识别、DDR3芯片命名、DDR3的基本结构等知识，为后续掌握FPGA DDR3的读写控制打下坚实基础。
一、DDR3芯片型号
电路板上的镁光DDR3芯片上没有具体的型号名。
如果想知道具体的DDR3芯片型号，那怎么办?
这里我们首先要知道DDR3芯片信号丝印的信息含义：
第一行数字字母表示产地等信息。
第二行数字字母表示FBGA Code。
将FBGA Code这串数字，输入下面这个镁光的官网网址，即可查询：
https://www.micron.com/support/tools-and-utilities/fbga
这里我们来试一下：
二、DDR3芯片命名
这里以镁光的DDR3芯片为例，不同系列的镁光芯片命名略有差异，基本大同小异，使用的是MT41J256M16HA-125。
MT——Micron的厂商名称。
41J——内存的类型。
256M16——内存颗粒容量为256M*16bits。
HA——封装方式。
-125——速度等级1600MHz，其tCK参数1.25ns，CL为11ns。
我们通过 Configuration,Package,Speed..等 DDR3的命名可知道 DDR3的容量，封装，这度等级等信息。
通过以上信息我们即可知道 DDR3的内存容量，Row,Column和 Bank的地址位宽。
更多的信息，请查看官方芯片手册。
三、DDR3芯片基本结构
四、DDR 引脚说明
DDR3不同的功能引脚有不同的要求，可划分为：控制总线、地址总线、数据总线、电源与参考电压。
1、控制总总线
ODT：片上终端使能，ODT使能和禁止片内终端电阻。
ZQ：输出驱动较准的外部参考引脚，应外接一个RZQ电阻到VSSQ，一般接到地。
RESET：芯片复位引脚，低电平有效。
CKE：时钟使能引脚。
A12：A12为地址引脚，叫做BC引脚，有另外一个功能，A12会在READ和WRITE命令期间被采样，决定burst chop是否会被执行。
CK，CK#：时钟信号线，DDR3的时钟线是差分时钟线，控制信号和地址信号都会在CK的上升沿和CK#的下降沿交叉处采集。
CS#：片选信号，低电平有效。
RAS#：行地址选通信号。
CAS#：列地址选通信号。
WE#：写使能信号。
2、地址线
A[14:0]：15根行地址线A0～A14和10根列地址线A0~A9，行地址线和列地址线进行复用。
BA[2:0]：BA0~BA2为Bank的选择线，由2^3=8，可以总共有8个Bank。
8个Bank区域，DDR3一般有8个Bank区域。
3、数据总线
DQ[15:0]：DQ0~DQ15为16根数据线，该DDR3L的宽度为16位。
LDQS，LDQS#：数据选通引脚，对应低字节DQ0~DQ7，读的时候是输出，写的时候为输入；
UDQS，UDQS#：数据选通引脚，对应高字节DQ8~DQ15，读的时候是输出，写的时候为输入。 LDM/UDM：写数据输入屏蔽引脚。
五、DDR关键时间参数
1、传输速率
比如1066MT/S、1600MT/S等，这个参数决定了DDR的最高数据传输速率。
2、tRCD
tRCD的全称为RAS-to-CAS Delay，行寻址到列寻址之间的延迟。
DDR的寻址流程为先输入Bank地址和行地址，再输入列地址，确定最终要寻址的存储单元，该命令叫"行激活"。
在行激活到读写命令发出的这段时间时隔就是tRCD。
3、CL
CL（CAS Latency）即列地址选通潜伏期，当列地址发出以后就会触发数据传输，从数据从存储单元到内存芯片IO接口上需要的这一段时间。
4、AL
AL（Additive Latency）参数是为了保证足够的延迟潜伏期，单位为时钟周期，AL+CL组成了RL（Read Latency）。
5、tRC
tRC是两个ACTIVE命令，或者ACTIVE命令到REFRESH命令之前的周期，DDR的数据手册会给出该值。
6、tRAS
tRAS是ACTIVE命令到PRECHARGE命令之间的最小时间。
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