【模电技术从入门到精通到放弃】半导体基础知识

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 🤩🤩🤩前言

Hello,大家好。我是CSDN厉昱辰。很高兴能够跟大家再次探索模电知识,那就让我们在接下来的日子里,一起去分享模电的相关知识,共同去讨论关于模电的相关问题!

 🤩🤩🤩导体与绝缘体

 🤩🤩🤩本征半导体

❤️❤️❤️(一)半导体

❤️❤️❤️(二)本征半导体的晶体结构

❤️❤️❤️(三)本征半导体中的两种载流子

❤️❤️❤️(四)本征半导体中载流子的浓度

 🤩🤩🤩杂质半导体

❤️❤️❤️(一)N型半导体

❤️❤️❤️(二)P型半导体

 🤩🤩🤩PN结

 🤩🤩🤩PN 结的电容效应 

❤️❤️❤️(一)势垒电容

❤️❤️❤️(二)扩散电容


 前言

Hello,大家好。我是CSDN厉昱辰。很高兴能够跟大家再次探索模电知识,那就让我们在接下来的日子里,一起去分享模电的相关知识,共同去讨论关于模电的相关问题!

 首先,在介绍半导体的知识点之前,我们先来了解一下导体与绝缘体~

导体与绝缘体

PS:本征半导体是纯净的晶体结构的半导体,这句话中,纯净的(无杂质)晶体结构(稳定的结构)! 

本征半导体

 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。(敲重点,定义给我记清楚喽

(一)半导体

物质的导电性能取决于原子结构。常用的半导体材料硅(Si)和锗(Ge)均为四价元素。

在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素时,导电性能具有可控性

(二)本征半导体的晶体结构

将纯净的半导体经过一定的工艺过程制成单晶体,即为本征半导体。

晶体中的原子在空间中形成排列整齐的点阵,称为晶格

相邻的两个原子的一对最外层电子(即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动,而且出现在相邻原子所属的轨道上,成为共用电子,这样的组合称为共价键结构。如图所示:

(三)本征半导体中的两种载流子

晶体中的共价键具有很强的结合力,因此,在常温下,仅有极少数的价电子由于热运动获得足够的能量,从而挣脱共价键的束缚变成为自由电子

在共价键中留下一个空位置,称为空穴

在本征半导体中,自由电子与空穴是成对出现的,即自由电子与空穴数目相等,如图所示:

 若在本征半导体两端外加一电场,则一方面自由电子将产生定向移动,形成电子电流;

另一方面由于空穴的存在,价电子将按一定的方向依次填补空穴,也就是说空穴也产生定向移动,形成空穴电流。

  • 自由电子与空穴的运动方向相反
  • 本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电
  • 外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴参与导电,且运动方向相反。

(四)本征半导体中载流子的浓度

  • 自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,使两者同时消失,这种现象称为复合
  • 在一定的温度下,本征激发所产生的自由电子与空穴对,与复合的自由电子与空穴对数目相等,故达到动态平衡
  • 在一定温度下,本征半导中的载流子的浓度是一定的,并且自由电子与空穴的浓度相等
  • 温度升高,热运动加剧,载流子浓度增大,导电性越强。

杂质半导体

通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,便可得到杂质半导体

按掺入的杂质元素不同,可形成N型半导体和P型半导体

(一)N型半导体

在纯净的硅晶体中掺入五价元素,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体

其中,

  • N型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故称自由电子多数载流子空穴少数载流子;简称前者为多子,后者为少子。
  • 掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能也就越强。
  • 自由电子与空穴是动态平衡,空穴要少,浓度要低(少子决定温度)

(二)P型半导体

在纯净的硅晶体中掺入三价元素,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。

  • P型半导体中空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电
  • 与N型半导体相同,掺入的杂质越多,空穴的浓度就越高,使得导电性能越强,因为杂质原子中的空位吸收电子,故称之为受主原子

PN结

物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动,这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动

扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低,产生内电场

由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成内电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N 区运动。

因电场作用所产生的运动称为漂移运动

 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态平衡,就形成了PN结。

 PN结加正向电压导通

耗尽层变窄,扩散运动加剧,由于外电源的作用,形成扩散电流,PN结处于导通状态

 PN结加反向电压截止

耗尽层变宽,阻止扩散运动,有利于漂移运动,形成漂移电流。由于电流很小,故可近似认为其截止。

PN 结的电容效应 

(一)势垒电容

PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生变化,有电荷的积累和释放的过程,与电容的充放电相同,其等效电容称为势垒电容Cb。 

(二)扩散电容

PN结外加的正向电压变化时,在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化,也有电荷的积累和释放的过程,其等效电容称为扩散电容Cd

结电容不是常量!若PN结外加电压频率高到一定程度,则失去单向导电性! 

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