同第一代硅半导体产业链类似，SiC产业链也分为以下几个环节：
设备和材料环节，包括晶体生长炉、MOCVD、切割设备、碳粉/硅粉/SiC粉体、石墨件等耗材；
SiC衬底合外延环节，包括导SiC晶体生长、衬底晶片、外延片等制造；
SiC芯片和器件环节，利用IDM模式或者Fabless模式，设计、生产制造SiC功率器件和模块；
下游应用环节，包括新能源车、光伏风电、工控、5G、雷达、卫星通信等应用。
目前全球SiC产业链都处于早期，新能源汽车刚刚打开SiC功率器件的应用市场，所以国内SiC产业水平与国际巨头之间的差距并没有像第一代半导体产业那么大，国内已经覆盖了从原材料、设备、衬底晶片、外延片、芯片和器件全产业链。
当前SiC产业还有一个明显的特征，由于产业处于早期，相当一部SiC企业，经过早期的技术探索，解决了从设备、材料、衬底晶片、器件全部环节，特别是长晶炉设备自研、衬底晶片材料自产自用，有利于工艺的把控，这是一个与第一代半导体产业不太一样的IDM模式
从SiC产业全球的整体格局看，呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。其中美国全球独大，包括科锐（Cree）、Transphorm、二六（II-VI）、陶氏化学（Dow Corning）等，占有全球SiC衬底晶片产量的70%~80%，Cree一家市占率高达6成之多；欧洲拥有完整的芯片/器件以及应用产业链，包括英飞凌、意法半导体、Siltronic、IQE等；日本是衬底晶片、设备和模块开发方面的领先者，典型公司是罗姆半导体、三菱化工、松下、住友电气、瑞萨、富士电机等。
