01、碳化硅（SiC）的制备难点
主要集中在以下几个方面：
1. 高温制备条件：碳化硅晶体生长需要在2300摄氏度以上的高温下进行，这对设备和工艺控制提出了极高的要求。生长过程中的温度和压力控制稍有失误，就可能导致生长数天的产品失败。
2. 生长速度慢：碳化硅的生长速度相对较慢，一般条件下，一周才能生长2厘米左右，这限制了产能的快速提升。
3. 材料晶型多样：碳化硅存在超过200种相似的晶型，需要精确的材料配比、热场控制和经验积累，才能在高温下制备出无缺陷、皆为4H晶型的可用碳化硅衬底。
4. 后加工困难：碳化硅是硬度仅次于金刚石的材料，晶棒后续的切片、研磨、抛光等工艺的加工难度显著增加。
5. 外延层生长难度：碳化硅衬底的表面特性不足以直接制造器件，需要在单晶衬底上额外沉积一层高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。外延层的质量对器件性能的影响非常大，而高压领域对缺陷的控制是非常大的挑战。
6. 器件制造难点：碳化硅器件制造过程中的掺杂步骤需要在高温下完成，且需要采用高温离子注入的方式；高温离子注入后，材料原本的晶格结构被破坏，需要用高温退火工艺进行修复，这对设备和工艺控制都带来了极大的挑战。
7. 成本问题：由于上述技术难点，能够稳定量产大尺寸碳化硅衬底的企业较少，这也使得碳化硅器件成本较高。此外，若需要把一条150mm的硅制造生产线转化为碳化硅生产线，费用大约为2000万美元，资金投入也是碳化硅晶圆建设的难点之一。
综上所述，碳化硅的制备难点主要集中在高温制备条件、生长速度慢、材
